BFP182WE6327HTSA1 | IR (Infineon Technologies) BFP182WE6327HTSA1 | BFP182WE6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BFP182WE6327HTSA1

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Numéro d'article	BFP182WE6327HTSA1
LIXINC Part #	BFP182WE6327HTSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BFP182WE6327HTSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BFP182WE6327HTSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BFP182WE6327HTSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	12V
fréquence - transition:	8GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
gagner:	22dB
puissance - maximum:	250mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 10mA, 8V
courant - collecteur (ic) (max):	35mA
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SC-82A, SOT-343
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-SOT343-4