NE3512S02-A

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Numéro d'article	NE3512S02-A
LIXINC Part #	NE3512S02-A
Fabricant	CEL (California Eastern Laboratories)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	HJ-FET NCH 13.5DB S02
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NE3512S02-A Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NE3512S02-A Caractéristiques

Numéro d'article:	NE3512S02-A
Marque:	CEL (California Eastern Laboratories)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	CEL (California Eastern Laboratories)
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	HFET
fréquence:	12GHz
gagner:	13.5dB
tension - test:	2 V
courant nominal (ampères):	70mA
figure de bruit:	0.35dB
courant - test:	10 mA
puissance - sortie:	-
tension - nominale:	4 V
paquet / caisse:	4-SMD, Flat Leads
paquet de dispositif de fournisseur:	S02

NE3512S02-A Documents

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