MRF8P20165WHSR3

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Numéro d'article	MRF8P20165WHSR3
LIXINC Part #	MRF8P20165WHSR3
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MRF8P20165WHSR3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MRF8P20165WHSR3 Caractéristiques

Numéro d'article:	MRF8P20165WHSR3
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	LDMOS (Dual)
fréquence:	1.98GHz ~ 2.01GHz
gagner:	14.8dB
tension - test:	28 V
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	550 mA
puissance - sortie:	37W
tension - nominale:	65 V
paquet / caisse:	NI-780S-4
paquet de dispositif de fournisseur:	NI-780S-4

MRF8P20165WHSR3 Documents

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