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BG3123E6327HTSA1

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Numéro d'article BG3123E6327HTSA1
LIXINC Part # BG3123E6327HTSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BG3123E6327HTSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 30 - Nov 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BG3123E6327HTSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:BG3123E6327HTSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
à transistors:2 N-Channel (Dual)
fréquence:800MHz
gagner:25dB
tension - test:5 V
courant nominal (ampères):25mA, 20mA
figure de bruit:1.8dB
courant - test:14 mA
puissance - sortie:-
tension - nominale:8 V
paquet / caisse:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:PG-SOT363-6

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