IRF9952

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Numéro d'article IRF9952
LIXINC Part # IRF9952
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRF9952 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRF9952 Caractéristiques

Numéro d'article:IRF9952
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:HEXFET®
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N and P-Channel
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3.5A, 2.3A
rds sur (max) @ id, vgs:100mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:14nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:190pF @ 15V
puissance - maximum:2W
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SO

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