PHKD3NQ10T,518 | Nexperia PHKD3NQ10T,518 | PHKD3NQ10T,518 Inventory, Best Pricing

PHKD3NQ10T,518

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Numéro d'article	PHKD3NQ10T,518
LIXINC Part #	PHKD3NQ10T,518
Fabricant	Nexperia
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PHKD3NQ10T,518 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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PHKD3NQ10T,518 Caractéristiques

Numéro d'article:	PHKD3NQ10T,518
Marque:	Nexperia
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Nexperia
série:	TrenchMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	100V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3A
rds sur (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	21nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	633pF @ 20V
puissance - maximum:	2W
température de fonctionnement:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SO