HUF76407DK8T

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Numéro d'article HUF76407DK8T
LIXINC Part # HUF76407DK8T
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2N-CH 60V SOP-8
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HUF76407DK8T Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

HUF76407DK8T Caractéristiques

Numéro d'article:HUF76407DK8T
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:UltraFET™
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
type fet:2 N-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):60V
courant - drain continu (id) @ 25°c:-
rds sur (max) @ id, vgs:90mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:11.2nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:330pF @ 25V
puissance - maximum:2.5W
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC

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