SSM6L13TU(T5L,F,T) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6L13TU(T5L,F,T) | SSM6L13TU(T5L,F,T) Inventory, Best Pricing

SSM6L13TU(T5L,F,T)

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Numéro d'article	SSM6L13TU(T5L,F,T)
LIXINC Part #	SSM6L13TU(T5L,F,T)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SSM6L13TU(T5L,F,T) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SSM6L13TU(T5L,F,T) Caractéristiques

Numéro d'article:	SSM6L13TU(T5L,F,T)
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N and P-Channel
fonction fet:	Logic Level Gate, 1.8V Drive
tension drain-source (vdss):	20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	800mA (Ta)
rds sur (max) @ id, vgs:	143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	268pF @ 10V, 250pF @ 10V
puissance - maximum:	500mW
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	6-SMD, Flat Leads
paquet de dispositif de fournisseur:	UF6