APTGFQ25H120T2G | Microsemi APTGFQ25H120T2G | APTGFQ25H120T2G Inventory, Best Pricing

APTGFQ25H120T2G

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Numéro d'article	APTGFQ25H120T2G
LIXINC Part #	APTGFQ25H120T2G
Fabricant	Microsemi
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	APTGFQ25H120T2G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

APTGFQ25H120T2G Caractéristiques

Numéro d'article:	APTGFQ25H120T2G
Marque:	Microsemi
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Microsemi
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	NPT and Fieldstop
configuration:	Full Bridge
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	40 A
puissance - maximum:	227 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 25A
courant - coupure collecteur (max):	250 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	2.02 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	SP2
paquet de dispositif de fournisseur:	SP2