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STG3P2M10N60B

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Numéro d'article	STG3P2M10N60B
LIXINC Part #	STG3P2M10N60B
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STG3P2M10N60B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

STG3P2M10N60B Caractéristiques

Numéro d'article:	STG3P2M10N60B
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	SEMITOP®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	-
configuration:	Three Phase Inverter
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	19 A
puissance - maximum:	56 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 7A
courant - coupure collecteur (max):	10 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	0.72 nF @ 25 V
saisir:	Single Phase Bridge Rectifier
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	SEMITOP®2
paquet de dispositif de fournisseur:	SEMITOP®2