APTGF50DDA120T3G | Microsemi APTGF50DDA120T3G | APTGF50DDA120T3G Inventory, Best Pricing

APTGF50DDA120T3G

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Numéro d'article	APTGF50DDA120T3G
LIXINC Part #	APTGF50DDA120T3G
Fabricant	Microsemi
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 1200V 70A 312W SP3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	APTGF50DDA120T3G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

APTGF50DDA120T3G Caractéristiques

Numéro d'article:	APTGF50DDA120T3G
Marque:	Microsemi
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Microsemi
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	NPT
configuration:	Dual Boost Chopper
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	70 A
puissance - maximum:	312 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.7V @ 15V, 50A
courant - coupure collecteur (max):	250 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	3.45 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	SP3
paquet de dispositif de fournisseur:	SP3