70V658S12DRI

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Numéro d'article	70V658S12DRI
LIXINC Part #	70V658S12DRI
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	70V658S12DRI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

70V658S12DRI Caractéristiques

Numéro d'article:	70V658S12DRI
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Dual Port, Asynchronous
taille mémoire:	2Mb (64K x 36)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	12ns
temps d'accès:	12 ns
tension - alimentation:	3.15V ~ 3.45V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	208-BFQFP
paquet de dispositif de fournisseur:	208-PQFP (28x28)

70V658S12DRI Documents

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