IS64WV25616EDBLL-10BA3 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS64WV25616EDBLL-10BA3 | IS64WV25616EDBLL-10BA3 Inventory, Best Pricing

IS64WV25616EDBLL-10BA3

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Numéro d'article	IS64WV25616EDBLL-10BA3
LIXINC Part #	IS64WV25616EDBLL-10BA3
Fabricant	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IS64WV25616EDBLL-10BA3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IS64WV25616EDBLL-10BA3 Caractéristiques

Numéro d'article:	IS64WV25616EDBLL-10BA3
Marque:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	4Mb (256K x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	10ns
temps d'accès:	10 ns
tension - alimentation:	2.4V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	48-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	48-TFBGA (6x8)