IS61LPS12836A-200B2LI

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Numéro d'article IS61LPS12836A-200B2LI
LIXINC Part # IS61LPS12836A-200B2LI
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS61LPS12836A-200B2LI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61LPS12836A-200B2LI Caractéristiques

Numéro d'article:IS61LPS12836A-200B2LI
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:4.5Mb (128K x 36)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:3.1 ns
tension - alimentation:3.135V ~ 3.465V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:119-BBGA
paquet de dispositif de fournisseur:119-PBGA (14x22)

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