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MT46V128M4BN-5B:F

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Numéro d'article MT46V128M4BN-5B:F
LIXINC Part # MT46V128M4BN-5B:F
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT46V128M4BN-5B:F Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 29 - Nov 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT46V128M4BN-5B:F Caractéristiques

Numéro d'article:MT46V128M4BN-5B:F
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR
taille mémoire:512Mb (128M x 4)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:700 ps
tension - alimentation:2.5V ~ 2.7V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:60-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:60-FBGA (10x12.5)

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