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NM27C512QE150

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Numéro d'article NM27C512QE150
LIXINC Part # NM27C512QE150
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28CDIP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NM27C512QE150 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 31 - Nov 04 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NM27C512QE150 Caractéristiques

Numéro d'article:NM27C512QE150
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:EPROM
technologie:EPROM - UV
taille mémoire:512Kb (64K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:150 ns
tension - alimentation:4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
paquet de dispositif de fournisseur:28-CDIP

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