THGBMHG9C4LBAIR

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Numéro d'article THGBMHG9C4LBAIR
LIXINC Part # THGBMHG9C4LBAIR
Fabricant Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH 512GBIT EMMC 153WFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO THGBMHG9C4LBAIR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Nov 01 - Nov 05 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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THGBMHG9C4LBAIR Caractéristiques

Numéro d'article:THGBMHG9C4LBAIR
Marque:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
série:e•MMC™
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND
taille mémoire:512Gb (64G x 8)
interface mémoire:eMMC
fréquence d'horloge:52 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:153-WFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:153-WFBGA (11.5x13)

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