TC58CVG2S0HQAIE | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	TC58CVG2S0HQAIE
LIXINC Part #	TC58CVG2S0HQAIE
Fabricant	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 4GBIT SPI 104MHZ 16SOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TC58CVG2S0HQAIE Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TC58CVG2S0HQAIE Caractéristiques

Numéro d'article:	TC58CVG2S0HQAIE
Marque:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NAND (SLC)
taille mémoire:	4Gb (512M x 8)
interface mémoire:	SPI
fréquence d'horloge:	104 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	280 µs
tension - alimentation:	2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	16-SOP