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CY7C199C-12VI

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Numéro d'article CY7C199C-12VI
LIXINC Part # CY7C199C-12VI
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY7C199C-12VI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY7C199C-12VI Caractéristiques

Numéro d'article:CY7C199C-12VI
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:256Kb (32K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:12ns
temps d'accès:12 ns
tension - alimentation:4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:28-SOJ

CY7C199C-12VI Documents

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