MT41K512M8RH-125 V:E | Micron Technology MT41K512M8RH-125 V:E | MT41K512M8RH-125 V:E Inventory, Best Pricing

MT41K512M8RH-125 V:E

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Numéro d'article	MT41K512M8RH-125 V:E
LIXINC Part #	MT41K512M8RH-125 V:E
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT41K512M8RH-125 V:E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT41K512M8RH-125 V:E Caractéristiques

Numéro d'article:	MT41K512M8RH-125 V:E
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR3L
taille mémoire:	4Gb (512M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	800 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	13.75 ns
tension - alimentation:	1.283V ~ 1.45V
température de fonctionnement:	0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	78-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	78-FBGA (9x10.5)