IS42S81600E-6TL | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS42S81600E-6TL

IS42S81600E-6TL

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Numéro d'article	IS42S81600E-6TL
LIXINC Part #	IS42S81600E-6TL
Fabricant	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IS42S81600E-6TL Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IS42S81600E-6TL Caractéristiques

Numéro d'article:	IS42S81600E-6TL
Marque:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM
taille mémoire:	128Mb (16M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	5.4 ns
tension - alimentation:	3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	54-TSOP II