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CY14B104N-BA20XCT

CY14B104N-BA20XCT
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Numéro d'article CY14B104N-BA20XCT
LIXINC Part # CY14B104N-BA20XCT
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY14B104N-BA20XCT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY14B104N-BA20XCT Caractéristiques

Numéro d'article:CY14B104N-BA20XCT
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:4Mb (256K x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:20ns
temps d'accès:20 ns
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:48-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:48-FBGA (6x10)

CY14B104N-BA20XCT Documents

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