MT40A1G8WE-075E:B TR | Micron Technology MT40A1G8WE-075E:B TR | MT40A1G8WE-075E:B TR Inventory, Best Pricing

MT40A1G8WE-075E:B TR

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	MT40A1G8WE-075E:B TR
LIXINC Part #	MT40A1G8WE-075E:B TR
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT40A1G8WE-075E:B TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT40A1G8WE-075E:B TR Caractéristiques

Numéro d'article:	MT40A1G8WE-075E:B TR
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR4
taille mémoire:	8Gb (1G x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	1.33 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.14V ~ 1.26V
température de fonctionnement:	0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	78-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	78-FBGA (8x12)