MSM51V18165F-60T3

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Numéro d'article	MSM51V18165F-60T3
LIXINC Part #	MSM51V18165F-60T3
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 16MBIT PARALLEL 50TSOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MSM51V18165F-60T3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MSM51V18165F-60T3 Caractéristiques

Numéro d'article:	MSM51V18165F-60T3
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	DRAM
taille mémoire:	16Mb (1M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	104ns
temps d'accès:	30 ns
tension - alimentation:	3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
paquet de dispositif de fournisseur:	50-TSOP

MSM51V18165F-60T3 Documents

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