MT47H64M8B6-25E L:D TR | Micron Technology MT47H64M8B6-25E L:D TR | MT47H64M8B6-25E L:D TR Inventory, Best Pricing

MT47H64M8B6-25E L:D TR

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Numéro d'article	MT47H64M8B6-25E L:D TR
LIXINC Part #	MT47H64M8B6-25E L:D TR
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT47H64M8B6-25E L:D TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT47H64M8B6-25E L:D TR Caractéristiques

Numéro d'article:	MT47H64M8B6-25E L:D TR
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR2
taille mémoire:	512Mb (64M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	400 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	400 ps
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:	0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	60-FBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	60-FBGA