TC58CVG2S0HRAIG

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Numéro d'article TC58CVG2S0HRAIG
LIXINC Part # TC58CVG2S0HRAIG
Fabricant Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH 4GBIT SPI 104MHZ 8WSON
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TC58CVG2S0HRAIG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TC58CVG2S0HRAIG Caractéristiques

Numéro d'article:TC58CVG2S0HRAIG
Marque:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND (SLC)
taille mémoire:4Gb (512M x 8)
interface mémoire:SPI
fréquence d'horloge:104 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:280 µs
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-WDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:8-WSON (6x8)

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