MT47H32M16NF-25E:H

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Numéro d'article	MT47H32M16NF-25E:H
LIXINC Part #	MT47H32M16NF-25E:H
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT47H32M16NF-25E:H Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

MT47H32M16NF-25E:H Caractéristiques

Numéro d'article:	MT47H32M16NF-25E:H
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR2
taille mémoire:	512Mb (32M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	400 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	400 ps
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:	0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	84-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	84-FBGA (8x12.5)

MT47H32M16NF-25E:H Documents

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