BYM12-200HE3_A/H

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Numéro d'article BYM12-200HE3_A/H
LIXINC Part # BYM12-200HE3_A/H
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BYM12-200HE3_A/H Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BYM12-200HE3_A/H Caractéristiques

Numéro d'article:BYM12-200HE3_A/H
Marque:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):200 V
courant - moyen redressé (io):1A
tension - avant (vf) (max) @ si:1 V @ 1 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):50 ns
courant - fuite inverse @ vr:5 µA @ 200 V
capacité @ vr, f:20pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:DO-213AB, MELF (Glass)
paquet de dispositif de fournisseur:DO-213AB
température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 175°C

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