BYM11-800HE3_A/I

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Numéro d'article BYM11-800HE3_A/I
LIXINC Part # BYM11-800HE3_A/I
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BYM11-800HE3_A/I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BYM11-800HE3_A/I Caractéristiques

Numéro d'article:BYM11-800HE3_A/I
Marque:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):800 V
courant - moyen redressé (io):1A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.3 V @ 1 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):500 ns
courant - fuite inverse @ vr:5 µA @ 800 V
capacité @ vr, f:15pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:DO-213AB, MELF (Glass)
paquet de dispositif de fournisseur:DO-213AB
température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 175°C

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