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AFT26HW050GSR3

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Numéro d'article	AFT26HW050GSR3
LIXINC Part #	AFT26HW050GSR3
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	RF N CHANNEL, MOSFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AFT26HW050GSR3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AFT26HW050GSR3 Caractéristiques

Numéro d'article:	AFT26HW050GSR3
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	LDMOS (Dual)
fréquence:	2.69GHz
gagner:	14.2dB
tension - test:	28 V
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	100 mA
puissance - sortie:	9W
tension - nominale:	65 V
paquet / caisse:	NI-780GS
paquet de dispositif de fournisseur:	NI-780GS-4L4L

ART1K6FHU	ART1K6FH/SOT539/TRAY	894 Plus sur la commande
MRF7S21210HR5	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780	861 Plus sur la commande
2SJ316-TD-E	PCH 4V DRIVE SERIES	6915 Plus sur la commande
2SK1069-4-TL-E	N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET	116889 Plus sur la commande
MRF9002NR2	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	813 Plus sur la commande
MHT2025GNR1	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	843 Plus sur la commande
2SK3815-E	NCH 4V DRIVE SERIES	2978 Plus sur la commande
IRFAF30	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	883 Plus sur la commande
BLP15H9S100Z	BLP15H9S100/SOT1482/REELDP	915 Plus sur la commande
STB4N80ET4	NFET D2PAK SPCL 800V TR	39272 Plus sur la commande
BLP15H9S10Z	BLP15H9S10/SOT1482/REELDP	1322 Plus sur la commande
BLC9G22XS-120AGWT	IC TRANSISTOR LDMOS SOT-1275	968 Plus sur la commande
MCH3409-TL-E	NCH 2.5V DRIVE SERIES	123876 Plus sur la commande

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$106.56000	$106.56
250	$ 51.91940	$12979.85

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