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A3T19H455W23SR6

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Numéro d'article A3T19H455W23SR6
LIXINC Part # A3T19H455W23SR6
Fabricant NXP Semiconductors
Catégorie semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO A3T19H455W23SR6 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

A3T19H455W23SR6 Caractéristiques

Numéro d'article:A3T19H455W23SR6
Marque:NXP Semiconductors
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:NXP Semiconductors
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
à transistors:LDMOS (Dual)
fréquence:1.93GHz ~ 1.99GHz
gagner:16.4dB
tension - test:30 V
courant nominal (ampères):10µA
figure de bruit:-
courant - test:540 mA
puissance - sortie:81W
tension - nominale:65 V
paquet / caisse:ACP-1230S-4L2S
paquet de dispositif de fournisseur:ACP-1230S-4L2S

A3T19H455W23SR6 Documents

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