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Numéro d'article | MRF5S21150HR3 |
LIXINC Part # | MRF5S21150HR3 |
Fabricant | NXP Semiconductors |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf |
Description | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | MRF5S21150HR3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | MRF5S21150HR3 |
Marque: | NXP Semiconductors |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - rf |
Fabricant: | NXP Semiconductors |
série: | - |
emballer: | Tape & Reel (TR) |
état de la pièce: | Obsolete |
à transistors: | LDMOS |
fréquence: | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
gagner: | 12.5dB |
tension - test: | 28 V |
courant nominal (ampères): | - |
figure de bruit: | - |
courant - test: | 1.3 A |
puissance - sortie: | 33W |
tension - nominale: | 65 V |
paquet / caisse: | NI-880 |
paquet de dispositif de fournisseur: | NI-880 |
3LN04MH-TL-E | NCH 1.5V DRIVE SERIES | 96849 Plus sur la commande |
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PXFC211507SCV1R250XTMA1 | IC AMP RF LDMOS | 991 Plus sur la commande |
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AFT26HW050GSR3-NXP | RF N CHANNEL, MOSFET | 1132 Plus sur la commande |
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MCH6610-TL-E | NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES | 881 Plus sur la commande |
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GTRA384802FC-V1-R2 | GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ | 956 Plus sur la commande |
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30C01C-TB-E | BIP NPN 0.4A 30V | 54870 Plus sur la commande |
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A3G26H501W17SR3 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR | 850 Plus sur la commande |
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CG2H40010P | 10W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, P | 874 Plus sur la commande |
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PXAC261002FC-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | 948 Plus sur la commande |
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AD9920BBCZRL | 12 BIT, 40 MHZ AFETG CONVERTER | 6852 Plus sur la commande |
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MMRF2005GNR1 | SINGLE W-CDMA RF LDMOS WIDEBAND | 882 Plus sur la commande |
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BLP10H660PY | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | 877 Plus sur la commande |
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IGN1011L1200 | GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND | 855 Plus sur la commande |
En stock | 10972 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $66.56000 | $66.56 |
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