CAV25512HU5E-GT3

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Numéro d'article CAV25512HU5E-GT3
LIXINC Part # CAV25512HU5E-GT3
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description EEPROM, 64KX8, SERIAL, CMOS, PDS
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CAV25512HU5E-GT3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 31 - Nov 04 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CAV25512HU5E-GT3 Caractéristiques

Numéro d'article:CAV25512HU5E-GT3
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:Automotive, AEC-Q100
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:EEPROM
technologie:EEPROM
taille mémoire:512Kb (64K x 8)
interface mémoire:SPI
fréquence d'horloge:10 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:5ms
temps d'accès:-
tension - alimentation:2.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-UFDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:8-UDFN (3x2)

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