EDB8164B4PR-1D-F-R TR

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Numéro d'article EDB8164B4PR-1D-F-R TR
LIXINC Part # EDB8164B4PR-1D-F-R TR
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO EDB8164B4PR-1D-F-R TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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EDB8164B4PR-1D-F-R TR Caractéristiques

Numéro d'article:EDB8164B4PR-1D-F-R TR
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR2
taille mémoire:8Gb (128M x 64)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:533 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.14V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-30°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:216-WFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:216-FBGA (12x12)

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