SIDC06D120E6X1SA3

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Numéro d'article SIDC06D120E6X1SA3
LIXINC Part # SIDC06D120E6X1SA3
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SIDC06D120E6X1SA3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SIDC06D120E6X1SA3 Caractéristiques

Numéro d'article:SIDC06D120E6X1SA3
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Discontinued at Digi-Key
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):1200 V
courant - moyen redressé (io):5A (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:1.9 V @ 5 A
vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):-
courant - fuite inverse @ vr:27 µA @ 1200 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:Die
paquet de dispositif de fournisseur:Sawn on foil
température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 150°C

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