NGTD13R120F2WP

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Numéro d'article NGTD13R120F2WP
LIXINC Part # NGTD13R120F2WP
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NGTD13R120F2WP Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NGTD13R120F2WP Caractéristiques

Numéro d'article:NGTD13R120F2WP
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):1200 V
courant - moyen redressé (io):-
tension - avant (vf) (max) @ si:2.6 V @ 25 A
vitesse:-
temps de récupération inverse (trr):-
courant - fuite inverse @ vr:1 µA @ 1200 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:Die
paquet de dispositif de fournisseur:Die
température de fonctionnement - jonction:175°C (Max)

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