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TCS1200

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Numéro d'article	TCS1200
LIXINC Part #	TCS1200
Fabricant	Microsemi
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TCS1200 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
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TCS1200 Caractéristiques

Numéro d'article:	TCS1200
Marque:	Microsemi
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	Microsemi
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	65V
fréquence - transition:	1.03GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	-
gagner:	10.2dBd
puissance - maximum:	2095W
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 1A, 5V
courant - collecteur (ic) (max):	60A
température de fonctionnement:	200°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	55TU-1
paquet de dispositif de fournisseur:	55TU-1

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