NESG2107M33-A | CEL (California Eastern Laboratories) NESG2107M33-A

NESG2107M33-A

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Numéro d'article	NESG2107M33-A
LIXINC Part #	NESG2107M33-A
Fabricant	CEL (California Eastern Laboratories)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NESG2107M33-A Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NESG2107M33-A Caractéristiques

Numéro d'article:	NESG2107M33-A
Marque:	CEL (California Eastern Laboratories)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	CEL (California Eastern Laboratories)
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	5V
fréquence - transition:	10GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
gagner:	7dB ~ 10dB
puissance - maximum:	130mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	140 @ 5mA, 1V
courant - collecteur (ic) (max):	100mA
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	3-SMD, Flat Lead
paquet de dispositif de fournisseur:	3-SuperMiniMold (M33)

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