PTFB193408SVV1XWSA1

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Numéro d'article PTFB193408SVV1XWSA1
LIXINC Part # PTFB193408SVV1XWSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - rf
Description IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO PTFB193408SVV1XWSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

PTFB193408SVV1XWSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:PTFB193408SVV1XWSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
à transistors:LDMOS (Dual), Common Source
fréquence:1.99GHz
gagner:19dB
tension - test:30 V
courant nominal (ampères):-
figure de bruit:-
courant - test:2.65 A
puissance - sortie:80W
tension - nominale:65 V
paquet / caisse:H-34275G-6/2
paquet de dispositif de fournisseur:H-34275G-6/2

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