MT41J256M4JP-125:G | Micron Technology MT41J256M4JP-125:G | MT41J256M4JP-125:G Inventory, Best Pricing

MT41J256M4JP-125:G

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	MT41J256M4JP-125:G
LIXINC Part #	MT41J256M4JP-125:G
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT41J256M4JP-125:G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT41J256M4JP-125:G Caractéristiques

Numéro d'article:	MT41J256M4JP-125:G
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Discontinued at Digi-Key
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR3
taille mémoire:	1Gb (256M x 4)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	800 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.425V ~ 1.575V
température de fonctionnement:	0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	78-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	78-FBGA (8x11.5)

Conseils chaleureux : veuillez remplir le formulaire ci-dessous. Nous vous contacterons dès que possible.

Lixinc vous proposera les prix les plus compétitifs, veuillez vous référer aux devis.

[email protected]

LIXINC

Envoyer le message

N'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015