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IS43DR16640B-25EBLI

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Numéro d'article IS43DR16640B-25EBLI
LIXINC Part # IS43DR16640B-25EBLI
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS43DR16640B-25EBLI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS43DR16640B-25EBLI Caractéristiques

Numéro d'article:IS43DR16640B-25EBLI
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR2
taille mémoire:1Gb (64M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:400 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:450 ps
tension - alimentation:1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:84-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:84-TWBGA (8x12.5)

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