MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR

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Numéro d'article MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR
LIXINC Part # MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60VFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 31 - Nov 04 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR Caractéristiques

Numéro d'article:MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR
taille mémoire:2Gb (128M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:5 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:60-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:60-VFBGA (10x10)

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