1N5416US

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Numéro d'article 1N5416US
LIXINC Part # 1N5416US
Fabricant Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 1N5416US Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

1N5416US Caractéristiques

Numéro d'article:1N5416US
Marque:Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Roving Networks / Microchip Technology
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):100 V
courant - moyen redressé (io):3A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.5 V @ 9 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):150 ns
courant - fuite inverse @ vr:1 µA @ 100 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:E-MELF
paquet de dispositif de fournisseur:D-5B
température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 175°C

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