RHRD660S9A

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Numéro d'article RHRD660S9A
LIXINC Part # RHRD660S9A
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RHRD660S9A Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RHRD660S9A Caractéristiques

Numéro d'article:RHRD660S9A
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):600 V
courant - moyen redressé (io):6A
tension - avant (vf) (max) @ si:2.1 V @ 6 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):35 ns
courant - fuite inverse @ vr:100 µA @ 600 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:TO-252AA
température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 175°C

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