RN4989FE,LF(CT

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Numéro d'article RN4989FE,LF(CT
LIXINC Part # RN4989FE,LF(CT
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RN4989FE,LF(CT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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RN4989FE,LF(CT Caractéristiques

Numéro d'article:RN4989FE,LF(CT
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
résistance - base (r1):47kOhms
résistance - base émettrice (r2):22kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 10mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
courant - coupure collecteur (max):500nA
fréquence - transition:250MHz, 200MHz
puissance - maximum:100mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-563, SOT-666
paquet de dispositif de fournisseur:ES6

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