HN2C01FEYTE85LF

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Numéro d'article HN2C01FEYTE85LF
LIXINC Part # HN2C01FEYTE85LF
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - matrices
Description TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HN2C01FEYTE85LF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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HN2C01FEYTE85LF Caractéristiques

Numéro d'article:HN2C01FEYTE85LF
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Obsolete
à transistors:2 NPN (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):150mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 100mA
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 2mA, 6V
puissance - maximum:100mW
fréquence - transition:60MHz
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-563, SOT-666
paquet de dispositif de fournisseur:ES6

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