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2SC5085-O(TE85L,F)

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Numéro d'article	2SC5085-O(TE85L,F)
LIXINC Part #	2SC5085-O(TE85L,F)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SC5085-O(TE85L,F) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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2SC5085-O(TE85L,F) Caractéristiques

Numéro d'article:	2SC5085-O(TE85L,F)
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	12V
fréquence - transition:	7GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	1dB @ 500MHz
gagner:	-
puissance - maximum:	100mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 20mA, 10V
courant - collecteur (ic) (max):	80mA
température de fonctionnement:	125°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SC-70, SOT-323
paquet de dispositif de fournisseur:	USM