BFR949L3E6327 | Rochester Electronics BFR949L3E6327 | BFR949L3E6327 Inventory, Best Pricing

BFR949L3E6327

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Numéro d'article	BFR949L3E6327
LIXINC Part #	BFR949L3E6327
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF BIPOLAR TRANSISTOR
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BFR949L3E6327 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BFR949L3E6327 Caractéristiques

Numéro d'article:	BFR949L3E6327
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	10V
fréquence - transition:	9GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
gagner:	21.5dB
puissance - maximum:	250mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 5mA, 6V
courant - collecteur (ic) (max):	50mA
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SC-101, SOT-883
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TSLP-3-1