HN3C10FUTE85LF

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Numéro d'article HN3C10FUTE85LF
LIXINC Part # HN3C10FUTE85LF
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - rf
Description RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HN3C10FUTE85LF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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HN3C10FUTE85LF Caractéristiques

Numéro d'article:HN3C10FUTE85LF
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:2 NPN (Dual)
tension - claquage collecteur émetteur (max):12V
fréquence - transition:7GHz
facteur de bruit (db typ @ f):1.1dB @ 1GHz
gagner:11.5dB
puissance - maximum:200mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 20mA, 10V
courant - collecteur (ic) (max):80mA
température de fonctionnement:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:US6

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