2SC5096-R,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SC5096-R,LF

2SC5096-R,LF

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Numéro d'article	2SC5096-R,LF
LIXINC Part #	2SC5096-R,LF
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SC5096-R,LF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SC5096-R,LF Caractéristiques

Numéro d'article:	2SC5096-R,LF
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	10V
fréquence - transition:	10GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	1.4dB @ 1GHz
gagner:	1.4dB
puissance - maximum:	100mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	50 @ 7mA, 6V
courant - collecteur (ic) (max):	15mA
température de fonctionnement:	125°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SC-75, SOT-416
paquet de dispositif de fournisseur:	SSM